План: Епітаксійні пластини композитної приладової структури GaAs/AlAs, ДК 021:2015: 31712330-2 — Напівпровідникові прилади.
План закупівель
Закупівля без використання електронної системи
Згорнути все
Вітаємо на платформі закупівель e-lot.com.ua Стати постачальником
| № | Джерело фінансування закупівлі | Опис джерела фінансуваня | Сума | ||
|---|---|---|---|---|---|
1 | Державний бюджет України | - | КПК-2025-2201390 - Підтримка пріоритетних напрямів наукових досліджень і науково-технічних (експериментальних) розробок, наукова і науково-технічна діяльність закладів вищої освіти та наукових установ | 80 895 UAH |
| № | Назва | Кількість | Доставка | Місце доставки |
|---|---|---|---|---|
1 | Епітаксійні пластини GaAs/AlAs Базовий матеріал (підкладка): • Матеріал: монокристалічний GaAs • Тип: epi-ready • Діаметр: 2" • Орієнтація: (100) ± 0,1° • Тип провідності: n-type • Товщина: 350–500 мкм • Полірування: DSP Епітаксійна структура (приладний шар) • Матеріал: AlAs (арсенід алюмінію) • Метод вирощування: MBE • Товщина шару: 50–200 нм • Однорідність товщини: ≤ 3% • Шорсткість поверхні: ≤ 0,5 нм • Дефекти: низькодефектний епітаксійний шар, придатний для оптоелектронних досліджень Призначення: гетероструктури для фотодетекторівКод ДК021: 31712330-2 Напівпровідникові прилади | 5 штука | До 25 груд 2025 | - |
| № | Назва | Тип документу | Відноситься до | Опубліковано | |
|---|---|---|---|---|---|
1 | Протокол 110 від 12.12.2025.pdf | Не вказано | Тендеру | 15 грудня 2025 10:56:08 | Перегляд |
2 | sign.p7s Підписано | Не вказано | Тендеру | 15 грудня 2025 10:57:47 | Перегляд |
Ми створили e-lot.com.ua з метою надання всіх умов для того, щоб процес закупівель проходив з легкістю для обох сторін: замовників та постачальників.